薄膜表面或界面的反射光會與從基底的反射光相干涉，干涉的發(fā)生與膜厚及折光系數等有關，因此可通過計算得到薄膜的厚度。光干涉法是一種無損、精確且快速的光學薄膜厚度測量技術，我們的薄膜測量系統(tǒng)采用光干涉原理測量薄膜厚度。 該產品是一款價格適中、功能強大的膜厚測量儀器。近幾年，每年的全球銷售量都超過200臺。根據型號不同，測量范圍可以從10nm到250um，它最高可以同時測量4個膜層中的3個膜層厚度（其中一層為基底材料）。該產品可應用于在線膜厚測量，測氧化物、SiNx、感光保護膜和半導體膜，也可以用來測量鍍在鋼、鋁、銅、陶瓷和塑料等上的粗糙膜層。

開爾文探針(Kelvin Probe)是一種非接觸無損震蕩電容裝置，用于測量導體材料的功函數(Work Function)或半導體、絕緣表面的表面勢(Surface Potential)。材料表面的功函數通常由最上層的1-3層原子或分子決定，所以開爾文探針是一種最靈敏的表面分析技術。主要型號：KP020 (單點開爾文探針)，SKP5050(掃描開爾文探針)。

德國WEP公司的CVP21電化學C-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。 電化學ECV剖面濃度測試儀主要用于半導體材料的研究及開發(fā)，其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導體光-電化學濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。CVP21電化學C-V剖面濃度測量儀適用于評估和控制在半導體生產中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上，例如：硅、鍺、III-V族化合物半導體(如GaN)。